密歇根大學(xué)最新研究發(fā)現(xiàn),在半導(dǎo)體中形成的準(zhǔn)粒子可以實(shí)現(xiàn)在室溫下移動(dòng)。這一發(fā)現(xiàn)為計(jì)算機(jī)快速降溫實(shí)現(xiàn)更快的速度和更高的效率,并為led和太陽(yáng)能電池板更高效工作提供了可能。該研究成果發(fā)表在近期《自然·光子學(xué)》雜志上。
該文章通訊作者、密歇根大學(xué)電子工程和計(jì)算機(jī)科學(xué)助理教授迪奧塔表示,激子是一個(gè)帶負(fù)電荷的電子和一個(gè)帶正電荷的“空穴”,像單個(gè)粒子一樣粘在一起。當(dāng)前,操控激子試驗(yàn)都是在低溫下進(jìn)行的,因?yàn)樵谑覝叵录ぷ雍芸炀蜁?huì)消亡。該團(tuán)隊(duì)利用由過(guò)渡金屬二鹵族化合物制成的新型“2D”單晶層半導(dǎo)體,將其放置在鈮酸鋰材料上。在鈮酸鋰上使用一組電極來(lái)產(chǎn)生波動(dòng)電場(chǎng),這種材料在電場(chǎng)存在時(shí)可以拉伸和收縮,從而產(chǎn)生聲波。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),通過(guò)讓聲波穿過(guò)材料,證明激子可以在室溫下從半導(dǎo)體芯片的一個(gè)位置傳播到另一個(gè)位置,從而實(shí)現(xiàn)信息傳輸。
注:本文摘自國(guó)外相關(guān)研究報(bào)道,文章內(nèi)容不代表本網(wǎng)站觀點(diǎn)和立場(chǎng),僅供參考。
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2025-2031年中國(guó)半導(dǎo)體先進(jìn)封裝行業(yè)市場(chǎng)全景評(píng)估及投資前景研判報(bào)告
《2025-2031年中國(guó)半導(dǎo)體先進(jìn)封裝行業(yè)市場(chǎng)全景評(píng)估及投資前景研判報(bào)告》共九章,包含全球及中國(guó)半導(dǎo)體先進(jìn)封裝企業(yè)案例解析,中國(guó)半導(dǎo)體先進(jìn)封裝行業(yè)政策環(huán)境及發(fā)展?jié)摿Γ袊?guó)半導(dǎo)體先進(jìn)封裝行業(yè)投資策略及規(guī)劃建議等內(nèi)容。



