投資要點

根據《韓國經濟新聞》12 月4 日報道，SK 海力士將于25H2 采用臺積電3nm 生產HBM4。

SK 海力士改采臺積電3nm 生產HBM4，HBM4E 將引入混合鍵合技術根據《韓國經濟新聞》12 月4 日報道，SK 海力士將于25H2 以臺積電3nm 制程為客戶生產定制化的第六代高頻寬內存HBM4；最快將于2025 年3 月發布一款采用臺積電3nm 制程生產的基礎裸片的垂直堆疊HBM4 原型，主要出貨的客戶為英偉達。三星同樣預計在25H2 提供HBM4 樣品，批量生產計劃在26 財年。

產能方面，根據CFM 數據，至2024 年底三星、SK 海力士和美光合計HBM 月產能將達30 萬片，其中三星HBM 增產最為激進；預計2025 年全球HBM 市場規模將上看300 億美元，HBM 將占DRAM 晶圓產能約15%至20%。

HBM3E 及之前的HBM 都是采用DRAM 制程的基礎裸片，而HBM4 基礎裸片將采用臺積電3nm 的先進邏輯工藝，以推動性能和能效進一步提升。此外，隨著HBM 堆疊層數逐漸增加，存儲廠商正積極推動在HBM4 中引入無助焊劑鍵合技術，以進一步縮小DRAM 堆疊間距；其中，美光動作最為積極，已開始與合作伙伴測試新制程，SK 海力士正在評估無助焊劑鍵合技術，三星電子也正在密切關注相關技術。根據SK 海力士HBM 封裝路線圖，其將在計劃于2026 年量產的HBM4E 中采用混合鍵合技術。混合鍵合技術可最大限度地縮小DRAM 的間隙，且沒有微凸塊電阻，因此信號傳輸速度更快，熱量管理更為高效。

為應對AI 浪潮帶來的強勁需求，英偉達已與臺積電等供應鏈合作伙伴提前啟動了下一代Rubin 平臺的研發工作，原定于2026 年亮相的Rubin 芯片有望提前半年發布，即2025 年下半年面世。臺積電計劃擴大CoWoS 先進封裝產能，以滿足Rubin 芯片的預期需求；目標在25Q4 將CoWoS 月產能提升至8 萬片。英偉達Rubin GPU 將配備8 個HBM4 芯片，其增強版Rubin Ultra GPU 將集成12 顆HBM4 芯片，預計于2027 年推出。

我們認為，AI 強勁需求正推動HBM 市場高速增長，同時HBM 持續升級迭代也不斷帶來新技術、新工藝的投資機會。

美國新增對HBM 的出口管制，HBM 國產自主可控重要性日益凸顯2024 年12 月2 日，美國商務部工業和安全局（BIS）修訂了《出口管理條例》（EAR），新的出口限制包括限制向中國出口先進HBM，并對24 種半導體制造設備和3 種軟件工具進行出口管制，包括美國公司在外國工廠生產的設備。

140 家中國實體被增列至出口管制實體清單，中芯國際、武漢新芯、北方華創、拓荊科技、盛美均在該清單上。

根據新的3A090.c，IFR 將管制“Memory bandwidth density”大于2GB/s/mm2  的HBM。當前生產的所有HBM 都超過了此閾值，即對于目前幾乎所有現行生產的HBM，均不能出口到中國。TrendForce 表示，國內存儲廠商武漢新芯和長鑫存儲正處于HBM 制造的早期階段，其中武漢新芯正在針對HBM 建造月產能3000 片晶圓的12 英寸工廠，長鑫存儲則與封測廠通富微電合作開發了HBM 樣品，并向潛在的客戶展示。

我們認為，美國進一步升級對華出口管制凸顯HBM 全產業鏈國產自主可控的重要性，產業鏈相關的國產廠商迎來前所未有的發展良機。

投資建議

建議關注HBM 產業鏈相關標的：1）封測環節：通富微電（先進封裝）、長電科技（先進封裝）等；2）設備環節：拓荊科技（PECVD+ALD+鍵合設備）、華海清科（減薄+CMP）、芯源微（臨時鍵合與解鍵合）、華卓精科（擬上市，鍵合設備）等；3）材料環節：華海誠科（環氧塑封料）、天承科技（RDL+TSV電鍍添加劑）、艾森股份（先進封裝電鍍）、聯瑞新材（硅微粉）等。

風險提示：行業與市場波動風險，國際貿易摩擦風險，新技術、新工藝、新產品無法如期產業化風險，產能擴張進度不及預期風險，行業競爭加劇風險。

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轉自華金證券股份有限公司 研究員：孫遠峰/王海維