據(jù)韓國媒體“ZDNET KOREA”消息，蔚山科學(xué)技術(shù)院研究團(tuán)隊利用準(zhǔn)粒子技術(shù)研發(fā)二維半導(dǎo)體新材料取得階段性成果。研究成果刊登在《科學(xué)研究》上。

隨著第四次工業(yè)革命的發(fā)展，對半導(dǎo)體芯片的要求越來越高。低耗、低熱是新一代半導(dǎo)體芯片的特點。研究團(tuán)隊研制出了具有納米縫隙結(jié)構(gòu)的間隙元件，該技術(shù)利用二維半導(dǎo)體材料縫隙結(jié)構(gòu)的卷入形態(tài)，大幅減少準(zhǔn)粒子的損失，克服了半導(dǎo)體材料變形過度或不夠等因素導(dǎo)致材料內(nèi)的準(zhǔn)粒子消失的難題。此外，研究團(tuán)隊還研發(fā)了“主動式探針發(fā)光納米顯微鏡”，利用該設(shè)備可以有效調(diào)節(jié)二維半導(dǎo)體材料內(nèi)的準(zhǔn)粒子。

注：本文摘自國外相關(guān)研究報道，文章內(nèi)容不代表本網(wǎng)站觀點和立場，僅供參考。

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