IGBT是功率器件中的復合型器件，被稱為電子電力行業的“CPU”和新能源“芯片”。

IGBT是雙極型三極管（BJT）和絕緣柵型場效應管（MOS）結合組成的，綜合BJT高電流密度和MOS高輸入阻抗的特點，具有驅動功率小而飽和壓降低的顯著性能優勢，在電子元器件中發揮電源開關和電能轉換兩大功能，廣泛應用于新能源汽車、工業控制、白色家電、新能源發電、軌道交通等領域，其中車規級IGBT的安全穩定性要求高于消費級和工業級IGBT。自問世以來，IGBT不斷在技術迭代，主要向著降低開關損耗和創建更薄的結構方向改善和發展，其縱向結構、柵極結構以及硅片加工工藝方面不斷升級改進，共經歷了七次大型技術演變，各項指標在演變中不斷優化。目前，IGBT芯片已經迭代至第七代精細溝槽棚場截止型IGBT，但考慮成本后，應用最廣泛的仍是IGBT第四代產品。

我們預計2026年中國IGBT市場規模將達到685.78億元，2022-2026年CAGR有望達21.48%。受益于新能源領域的快速發展，我國IGBT市場不斷擴張推向新高點，其中新能源汽車是最重要的驅動力。根據我們測算，國內新能源汽車IGBT市場規模將從2022年的130.98億元快速增長至2026年的407.84億元，年復合增速為32.84%；新能源發電是第二大IGBT增量市場，隨著光伏、風電新增裝機量的快速提升，我國新能源發電IGBT市場規模將在2026年達到44.19億元，CAGR為21.34%。下游應用領域中，新能源汽車市場占比最大，2022年從42%有望逐步提升至2026年的60%，其次為工控、變頻白電和新能源發電，預期2026年占比分別為18%、15%以及6%，軌道交通體量相對較小，預期2026年占比為1%。在節能減排政策的背景下，工業控制、變頻白色家電等節能效果明顯的產品近年來市場規模也實現持續穩定增長。

2021全球IGBT單管和模塊TOP3企業均為海外企業，市場份額分別為53%和56%，國內企業士蘭微在單管市場中份額為4%，斯達半導和中車時代在模塊市場中份額分別為3%和2%，隨著國產替代程度加深，國產化率在2023年有望升至32.90%。根據Omdia數據，2021年全球IGBT單管和模塊市場中，海外企業英飛凌、富士電機、三菱電機占據了一半以上的市場份額，CR3分別為53%和56%，其中英飛凌的市場份額分別為29%和33%，占據絕對龍頭地位，這些歐美日廠商資金實力雄厚、技術水平領先、產業經驗豐富，以IDM模式為主導憑借先發優勢搶占了絕大部分市場份額。國內廠商所占市場份額較低，2021年全球IGBT單管市場中只有士蘭微進入前十大廠商，占比為4%，2021年全球IGBT模塊市場中只有斯達半導和中車時代進入前十大廠商，占比分別3%和2%。短期海外龍頭廠商交貨周期維持穩定，同時下游需求仍保持活躍為國產廠商發展帶來了機遇，國內廠商多為Fabless模式，正逐步向IDM轉型突破產能受限問題，國產替代穩步推進，根據中商產業研究院數據，IGBT國產化率將在2023達到32.90%。

建議關注車規級及新能源IGBT賽道優質標的。IGBT市場在新能源領域推動和政策支撐下將迎來快速增長期，新能源汽車市場是最充足的驅動力，車規級IGBT的認證周期長、技術壁壘高、受到客戶認可難度大，國內廠商正進一步實現技術突破同時擴張產能布局提高核心競爭力，國產替代正駛入加速帶。建議關注：IGBT模塊龍頭企業斯達半導、IGBT行業領軍企業宏微科技、軌交和車規級IGBT龍頭企業時代電氣、半導體IDM龍頭企業士蘭微、IDM+Fabless模式相結合企業揚杰科技、ODM+功率半導體龍頭企業聞泰科技。

風險提示：1）新能源發展不及預期；2）技術迭代不及預期；3）產能建設不及預期。

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轉自東海證券股份有限公司 研究員：方霽