研究團隊發(fā)現(xiàn)鐵硅化合物可用作非易失性存儲器材料

存儲器 2022-02-08 17:07

據(jù)《日刊工業(yè)新聞》報道，日本東京大學與理化學研究所、東北大學、原子能研究機構等合作研究，成功地將自然界存儲豐富的鐵硅化合物應用于不使用電源也能保持記憶的“非揮發(fā)性存儲”信息記憶技術。研究發(fā)現(xiàn)，鐵硅化合物的表面與晶體內部不同，具有與磁鐵相同性質，可通電。這一成果將有助于電子器件的省電化和高功能化。

以前，鐵硅化合物因結晶內部沒有磁鐵的性質不處于能通電的狀態(tài)，被認為不適用于電子器件的應用。但研究對鐵硅化合物表面狀態(tài)進行研究時發(fā)現(xiàn)，在其表面下約0.3納米內的極淺層存在磁鐵和通電特性。進一步的研究表明，電流可以控制磁化方向。因此，鐵硅化合物可以應用于利用磁化方向記憶信息并通過電流高速控制的非易失性存儲器。

注：本文摘自國外相關研究報道，文章內容不代表本網(wǎng)站觀點和立場，僅供參考。

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