投資要點

據中國臺灣媒體《自由財經》報道，自2025 年1 月起，臺積電將對其3nm、5nm及CoWoS 工藝的代工價格進行上調，預計漲幅將在5%到20%之間。

 CoWoS 或迎來量/價/需求齊升，CoWoS-S 轉向CoWoS-L 趨勢明顯。（1）量：

根據DIGITIMES Research 數據，受云端AI 加速器需求旺盛推動，2025 年全球對CoWoS 及類似封裝產能的需求或將增長113%。主要供應商臺積電、日月光科技控股（包括矽品精密工業、SPIL）和安靠正在擴大產能。根據DIGITIMESResearch 報告，到2025 年第四季度末，臺積電的月產能預計將增至6.5 萬片以上12 英寸晶圓當量，而安靠和日月光合用產能將增至1.7 萬片晶圓；英偉達是臺積電CoWoS 封裝工藝最大客戶，受惠于英偉達Blackwell 系列GPU 量產，臺積電將從2025 年第四季開始由CoWoS-S 轉為CoWoS-L 制程，使CoWoS-L成為臺積電CoWoS 技術的主要制程；英偉達對CoWoS-L 工藝需求可能會從2024 年的3.2 萬片晶圓大幅增加至2025 年的38 萬片晶圓，同比增長1018%。

根據DIGITIMES Research 預計，2025 年第四季CoWoS-L 將占臺積電CoWoS總產能的54.6%，CoWoS-S 為38.5%，CoWoS-R 則為6.9%。（2）價：根據半導體創芯網數據，臺積電3nm 和5nm 制程技術的價格將上升5%到10%，CoWoS 工藝將漲價15%到20%（供不應求），這一調整既源于AI 領域對計算能力的需求激增，也顯示了制程技術成本的不斷上升。（3）需求：根據半導體縱橫數據，英偉達占CoWoS 整體供應量比重超過50%，A100、H100 及BlackwellUltra 等產品均會采用CoWoS 封裝，2025 年英偉達將會推廣采用CoWoS-L 技術的B300 和GB300 系列。AMD 的MI300 采用臺積電SoIC（3D）和CoWoS（2.5D）兩種封裝技術。此外，博通、微軟、亞馬遜、谷歌對于CoWoS 也存有一定需求。

CoWoS-L 確保良好的系統性能同時避免大型硅中介層良率損失。CoWoS-L 中介層包括多個本地硅互連（LSI） 芯片和全域再分布層（RDL），形成一個重組中介層（RI），以取代CoWoS-S 中的單片硅中介層。LSI Chiplet 與CoWoS-S相比保留了亞微米級銅互連、硅通孔（TSV） 和嵌入式深溝電容器（eDTC），以確保良好系統性能，同時避免大型硅中介層良率損失問題。此外，在RI 中引入穿絕緣體通孔（TIV）作為垂直互連，以提供比TSV 更低的插入損耗路徑。

CoWoS-L 目前已成功實現采用3 倍掩模尺寸（約2500 平方毫米）的插接器，搭載多個SoC/芯片模組和8 個HBM 方案。LSI 制造有兩種路線，LSI-1 和LSI-2，主要區別在于互連金屬方案：1）在制造LSI-1 時，首先在300 毫米硅芯片上制造TSV 和一層單大馬士革銅金屬(M1)。然后，用未摻雜硅酸鹽玻璃（USG）作為介電層的雙大馬士革銅形成互連結構。在LSI-1 金屬方案中，雙大馬士革銅工藝提供的最小金屬寬度/空間為0.8/0.8μm，厚度為2μm。2）LSI-2具有相同的TSV 結構和M1 金屬方案。制造出M1 層后，通過半新增工藝（SAP），以聚酰亞胺（PI） 為介質層的銅RDL 形成互連結構。SAP 銅RDL的最小寬度/空間為2/2μm，厚度為2.3μm。

投資建議：ChatGPT 依賴大模型、大數據、大算力支撐，其出現標志著通用人工智能的起點及強人工智能的拐點，未來算力將引領下一場數字革命，xPU 等高端芯片需求持續增長。先進封裝為延續摩爾定理提升芯片性能及集成度提供技術支持，隨著Chiplet 封裝概念持續推進，先進封裝各產業鏈（封測/設備/材料/IP等）將持續受益。建議關注：封測：通富微電、長電科技、華天科技、甬矽電子、偉測科技；設備：北方華創、中微公司、盛美上海、華峰測控、長川科技、中科飛測、華海清科、華封科技（未上市）；材料：華海誠科、鼎龍股份、深南電路、興森科技、艾森股份、上海新陽、聯瑞新材、飛凱材料；EDA：華大九天、廣立微、概倫電子；IP：芯原股份。

風險提示：下游需求復蘇低于預期；先進封裝技術研發不及預期；人工智能發展不及預期；系統性風險。

知前沿，問智研。智研咨詢是中國一流產業咨詢機構，十數年持續深耕產業研究領域，提供深度產業研究報告、商業計劃書、可行性研究報告及定制服務等一站式產業咨詢服務。專業的角度、品質化的服務、敏銳的市場洞察力，專注于提供完善的產業解決方案，為您的投資決策賦能。

轉自華金證券股份有限公司 研究員：孫遠峰/王海維