2021年全球 NAND閃存市場份額、閃存容量及出貨量分析預測[圖]

閃存管小紅 2021-06-29 05:52 來源：智研咨詢

NAND閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲設備，在不超過4GB的低容量應用中表現得尤為明顯。隨著人們持續追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品， NAND被證明極具吸引力。 NAND閃存是一種非易失性存儲技術，即斷電后仍能保存數據。它的發展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。

NAND閃存包括 SLC NAND,MLC NAND,TLC NAND和QLC NAND。

NAND閃存包括范圍

資料來源：智研咨詢整理

中國市場低密度 SLC NAND閃存主要出口目的地為亞洲地區。隨著信息技術的三波創新革命，以移動互聯網、大數據、云計算和物聯網為代表的新一代信息技術發展正在推動信息產業轉型升級，對海量數據的處理、存儲提出了越來越高的要求。隨著大數據時代的到來， NAND Flash芯片將在未來得到巨大發展。

中國市場未來發展的有利因素、不利因素分析

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NAND閃存卡的主要分類以 NAND閃存顆粒的技術為主， NAND閃存顆粒根據存儲原理分為SLC、MLC、TLC和QLC，從結構上又可分為2D、3D兩大類。四種類型的 NAND閃存顆粒性能各有不同。

NAND閃存卡按存儲原理分類

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Flash技術主要分為SLC、MLC、TLC和QLC四大類，對應不同的空間結構，這四類技術可又分為2D結構和3D結構兩大類。

SLC（Single-LevelCell,SLC） NAND單元存儲量為1bit/cell，單元擦/寫壽命為10萬次；MLC NAND單元存儲量為2bit/cell，單元擦/寫壽命為3000-10000次；TLC NAND單元存儲量為3bit/cell，單元擦/寫壽命為500次；QLC NAND單元存儲量為4bitcell，單元擦/寫壽命為150次。

四種類型的 NAND閃存單元存儲量及單元擦/寫壽命

類型	單元存儲量	單元擦/寫壽命
SLC	1bit/cell	10萬次
MLC	2bit/cell	3000-10000次
TLC	3bitlcell	500次
QLC	4bitcell	150次

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NAND閃存，產品應用于消費電子產品、物聯網、汽車、工業、通信和其他相關行業。

SLC NAND閃存主要應用領域

-	細分領域
消費電子產品	數字電視，手機，機頂盒，MP3，數碼相機，攝像機，DVD和藍光播放器和錄像機打印機等
汽車	車載電子產品
工業	智能計量和智能照明，POS系統和Industrial卡，工業機器人，工業儀表等·
通信	DSL和電纜調制解調器，M2M模塊，網絡和電信voIP等·
其他	CPS航，游戲機，玩具等

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智研咨詢發布的《2021-2027年中國NAND閃存行業市場運營態勢及發展趨勢研究報告》顯示：按類型劃分來看，2020年TLC NAND市場份額為55.61%；MLC NAND市場份額為32.15%；SLC NAND市場份額為1.82%；QLC NAND市場份額為10.43%，目前市場上應用最廣泛的是TLC NAND,QLC作為新興產品將在未來幾年快速占領市場，SLC NAND的市場份額會進一步縮小。

2020年 NAND閃存市場份額(按類型劃分)

資料來源：智能計算芯世界、智研咨詢整理

目前，研究的 NAND閃存主要是8Gbit、4Gbit、2Gbit以及其他小于16Gbit的 SLC NAND閃存，從不同種類低密度 SLC NAND閃存產量市場份額來看，8Gbit SLC NAND閃存產量市場份額為10.48%；4Gbit SLC NAND閃存產量市場份額為22.70%；2Gbit SLC NAND閃存產量市場份額為28.74%；其他 SLC NAND閃存產量市場份額為38.08%。

不同種類低密度 SLC NAND閃存產量市場份額

資料來源：智能計算芯世界、智研咨詢整理

從全球各國家及地區 NAND閃存生產情況來看，北美占23.48%的生產份額；日本占21.26%的生產份額；中國占31.97%的生產份額；中國臺灣占12.76%的生產份額；韓國占6.32%的生產份額。

全球 NAND閃存生產份額比較

資料來源：智能計算芯世界、智研咨詢整理

雖然2019年存儲市場經歷了貿易戰，出現了需求趨緩、價格下跌、庫存壓力等情況，但市場需求一直在，產品技術也不斷提高。經過50年的閃存芯片發展，閃存容量增勢迅猛。到2004年，閃存存儲容量進入GB時代，從2004年閃存存儲容量只有1GB；到2011年閃存存儲容量的達到128GB；2013年3D NAND閃存顆粒技術的實踐使閃存容量進一步提升，發展到128GB；目前，閃存存儲容量高達TB，預計2022年發展到2TB。

2013-2022年全球單個3D NAND閃存顆粒容量變化（GB、層）