第一章第三代半導體相關概述

1.1　第三代半導體基本介紹

1.1.1　基礎概念界定

1.1.2　主要材料簡介

1.1.3　歷代材料性能

1.1.4　產業發展意義

1.2　第三代半導體產業發展歷程分析

1.2.1　材料發展歷程

1.2.2　產業演進全景

1.2.3　產業轉移路徑

1.3　第三代半導體產業鏈構成及特點

1.3.1　產業鏈結構簡介

1.3.2　產業鏈圖譜分析

1.3.3　產業鏈生態體系

1.3.4　產業鏈體系分工

1.3.5　產業鏈聯盟建設

第二章2017-2021年全球第三代半導體產業發展分析

2.1　2017-2021年全球第三代半導體產業運行狀況

2.1.1　國際產業格局

2.1.2　市場規模增長

2.1.3　市場結構分析

2.1.4　研發項目規劃

2.1.5　應用領域格局

2.2　美國

2.2.1　研發支出規模

2.2.2　產業技術優勢

2.2.3　技術創新中心

2.2.4　技術研發動向

2.2.5　戰略層面部署

2.3　日本

2.3.1　產業發展計劃

2.3.2　研究成果豐碩

2.3.3　封裝技術聯盟

2.3.4　照明領域狀況

2.3.5　研究領先進展

2.4　歐盟

2.4.1　研發項目歷程

2.4.2　產業發展基礎

2.4.3　前沿企業格局

2.4.4　未來發展熱點

第三章2017-2021年中國第三代半導體產業發展環境PEST分析

3.1　政策環境（Political）

3.1.1　中央部委政策支持

3.1.2　地方政府扶持政策

3.1.3　材料領域專項規劃

3.1.4　貿易關稅摩擦影響

3.2　經濟環境（Economic）

3.2.1　宏觀經濟概況

3.2.2　工業運行情況

3.2.3　經濟轉型升級

3.2.4　未來經濟展望

3.3　社會環境（Social）

3.3.1　社會教育水平

3.3.2　人口規模與構成

3.3.3　產業結構演進

3.3.4　技術人才儲備

3.4　技術環境（Technological）

3.4.1　專利技術構成

3.4.2　科技計劃專項

3.4.3　國際技術成熟

3.4.4　產業技術聯盟

第四章2017-2021年中國第三代半導體產業發展分析

4.1　中國第三代半導體產業發展特點

4.1.1　企業以IDM模式為主

4.1.2　制備工藝不追求頂尖

4.1.3　襯底和外延是關鍵環節

4.1.4　各國政府高度重視發展

4.1.5　國際龍頭企業加緊布局

4.1.6　軍事用途導致技術禁運

4.2　2017-2021年中國第三代半導體產業發展運行綜述

4.2.1　產業發展現狀

4.2.2　產業整體產值

4.2.3　產業產線規模

4.2.4　產業供需狀態

4.2.5　產業成本趨勢

4.2.6　產業應用前景

4.2.7　未來發展趨勢

4.3　2017-2021年中國第三代半導體市場發展狀況分析

4.3.1　市場發展規模

4.3.2　細分市場結構

4.3.3　企業競爭格局

4.3.4　重點企業介紹

4.3.5　產品發展動力

4.4　2017-2021年中國第三代半導體上游原材料市場發展分析

4.4.1　上游金屬硅產能擴張

4.4.2　上游金屬硅價格走勢

4.4.3　上游氧化鋅市場需求

4.4.4　上游材料產業鏈布局

4.4.5　上游材料競爭狀況分析

4.5　中國第三代半導體產業發展問題分析

4.5.1　產業發展問題

4.5.2　市場推進難題

4.5.3　技術發展挑戰

4.5.4　城市競爭激烈

4.5.5　材料發展挑戰

4.6　中國第三代半導體產業發展建議及對策

4.6.1　建設產業聯盟

4.6.2　加強企業培育

4.6.3　集聚產業人才

4.6.4　推動應用示范

4.6.5　材料發展思路

第五章2017-2021年第三代半導體氮化鎵（GaN）材料及器件發展分析

5.1　GaN材料基本性質及制備工藝發展狀況

5.1.1　GaN結構性能

5.1.2　GaN制備工藝

5.1.3　GaN材料類型

5.1.4　技術專利發展

5.1.5　技術發展趨勢

5.2　GaN材料市場發展概況分析

5.2.1　市場發展規模

5.2.2　材料價格走勢

5.2.3　應用市場結構

5.2.4　應用市場預測

5.2.5　市場競爭格局

5.3　GaN器件及產品研發情況

5.3.1　器件產品類別

5.3.2　GaN晶體管

5.3.3　射頻器件產品

5.3.4　射頻模塊產品

5.3.5　GaN光電器件

5.3.6　電力電子器件

5.4　GaN器件應用領域及發展情況

5.4.1　電子電力器件應用

5.4.2　高頻功率器件應用

5.4.3　器件應用發展狀況

5.4.4　應用實現條件與對策

5.5　GaN器件發展面臨的挑戰

5.5.1　器件技術難題

5.5.2　電源技術瓶頸

5.5.3　風險控制建議

第六章2017-2021年第三代半導體碳化硅（SiC）材料及器件發展分析

6.1　SiC材料基本性質與制備技術發展狀況

6.1.1　SiC性能特點

6.1.2　SiC制備工藝

6.1.3　SiC產品類型

6.1.4　單晶技術專利

6.1.5　制備技術布局

6.2　SiC材料市場發展概況分析

6.2.1　材料價格走勢

6.2.2　材料市場規模

6.2.3　市場應用結構

6.2.4　市場競爭格局

6.2.5　企業研發布局

6.3　SiC器件及產品研發情況

6.3.1　器件產品現狀

6.3.2　電力電子器件

6.3.3　功率模塊產品

6.3.4　產品發展趨勢

6.4　SiC器件應用領域及發展情況

6.4.1　應用整體技術路線

6.4.2　電網應用技術路線

6.4.3　電力牽引應用技術路線

6.4.4　電動汽車應用技術路線

6.4.5　家用電器和消費類電子應用

第七章第三代半導體其他材料發展狀況分析

7.1　Ⅲ族氮化物半導體材料發展分析

7.1.1　基礎概念介紹

7.1.2　材料結構性能

7.1.3　材料制備工藝

7.1.4　主要器件產品

7.1.5　應用發展狀況

7.1.6　發展建議對策

7.2　寬禁帶氧化物半導體材料發展分析

7.2.1　基本概念介紹

7.2.2　材料結構性能

7.2.3　材料制備工藝

7.2.4　主要應用器件

7.3　氧化鎵（Ga2O3）半導體材料發展分析

7.3.1　材料結構性能

7.3.2　材料制備工藝

7.3.3　主要技術發展

7.3.4　器件應用發展

7.3.5　未來發展趨勢

7.4　金剛石半導體材料發展分析

7.4.1　材料結構性能

7.4.2　襯底制備工藝

7.4.3　主要器件產品

7.4.4　應用發展狀況

7.4.5　未來發展前景

第八章2017-2021年第三代半導體下游應用領域發展分析

8.1　第三代半導體下游產業應用領域發展概況

8.1.1　下游產業結構布局

8.1.2　下游產業優勢特點

8.1.3　下游產業需求旺盛

8.2　2017-2021年電子電力領域發展狀況

8.2.1　全球市場發展規模

8.2.2　國內市場發展規模

8.2.3　器件市場分布狀況

8.2.4　器件廠商布局分析

8.2.5　器件產品價格走勢

8.2.6　應用市場發展規模

8.3　2017-2021年微波射頻領域發展狀況

8.3.1　射頻器件市場規模

8.3.2　射頻器件市場結構

8.3.3　射頻器件市場占比

8.3.4　射頻器件價格走勢

8.3.5　國防基站應用規模

8.3.6　移動通信基站帶動

8.3.7　軍用射頻器件市場

8.4　2017-2021年半導體照明領域發展狀況

8.4.1　行業發展現狀

8.4.2　行業發展規模

8.4.3　應用市場分布

8.4.4　應用發展趨勢

8.4.5　照明技術突破

8.4.6　照明發展方向

8.5　2017-2021年激光器與探測器應用發展狀況

8.5.1　市場規模現狀

8.5.2　應用研發現狀

8.5.3　激光器應用發展

8.5.4　探測器應用發展

8.5.5　未來發展趨勢

8.6　2017-2021年5G通訊領域發展狀況

8.6.1　市場發展規模

8.6.2　賦能射頻產業

8.6.3　應用發展方向

8.6.4　產業發展趨勢

8.7　2017-2021年新能源汽車領域發展狀況

8.7.1　行業市場規模

8.7.2　應用市場規模

8.7.3　市場需求預測

8.7.4　SiC應用示范

第九章2017-2021年第三代半導體材料產業區域發展分析

9.1　2017-2021年第三代半導體產業區域發展概況

9.1.1　產業區域分布

9.1.2　重點區域建設

9.2　京津翼地區第三代半導體產業發展分析

9.2.1　北京產業政策扶持

9.2.2　北京產業基地發展

9.2.3　保定檢測平臺落地

9.2.4　應用聯合創新基地

9.2.5　區域未來發展趨勢

9.3　中西部地區第三代半導體產業發展分析

9.3.1　四川產業政策歷程

9.3.2　重慶相關領域態勢

9.3.3　陜西產業項目規劃

9.4　珠三角地區第三代半導體產業發展分析

9.4.1　廣東產業發展布局

9.4.2　深圳產業園區規劃

9.4.3　東莞基地發展建設

9.4.4　區域未來發展趨勢

9.5　華東地區第三代半導體產業發展分析

9.5.1　江蘇產業發展概況

9.5.2　蘇州產業聯盟聚集

9.5.3　山東產業布局動態

9.5.4　福建產業支持政策

9.5.5　區域未來發展趨勢

9.6　第三代半導體產業區域發展建議

9.6.1　提高資源整合效率

9.6.2　補足SiC領域短板

9.6.3　開展關鍵技術研發

9.6.4　鼓勵地方加大投入

第十章第三代半導體產業重點企業經營狀況分析

10.1　三安光電

10.1.1　企業發展概況

10.1.2　業務經營分析

10.1.3　財務狀況分析

10.1.4　核心競爭力分析

10.1.5　公司發展戰略

10.1.6　未來前景展望

10.2　北京耐威科技

10.2.1　企業發展概況

10.2.2　業務經營分析

10.2.3　財務狀況分析

10.2.4　核心競爭力分析

10.2.5　公司發展戰略

10.2.6　未來前景展望

10.3　華潤微電子

10.3.1　企業發展概況

10.3.2　業務經營分析

10.3.3　財務狀況分析

10.3.4　核心競爭力分析

10.3.5　公司發展戰略

10.3.6　未來前景展望

10.4　湖北臺基半導體

10.4.1　企業發展概況

10.4.2　業務經營分析

10.4.3　財務狀況分析

10.4.4　核心競爭力分析

10.4.5　公司發展戰略

10.4.6　未來前景展望

10.5　無錫新潔能

10.5.1　企業發展概況

10.5.2　業務經營分析

10.5.3　財務狀況分析

10.5.4　核心競爭力分析

10.5.5　公司發展戰略

10.5.6　未來前景展望

10.6　華燦光電

10.6.1　企業發展概況

10.6.2　業務經營分析

10.6.3　財務狀況分析

10.6.4　核心競爭力分析

10.6.5　公司發展戰略

10.6.6　未來前景展望

第十一章第三代半導體產業投資價值綜合評估

11.1　行業投資背景

11.1.1　行業投資現狀

11.1.2　投資市場周期

11.1.3　行業投資機會

11.1.4　行業投資前景

11.2　行業投融資情況

11.2.1　國際投資案例

11.2.2　國內投資案例

11.2.3　國際企業并購

11.2.4　國內企業并購

11.3　行業投資壁壘

11.3.1　技術壁壘

11.3.2　資金壁壘

11.3.3　貿易壁壘

11.4　行業投資風險

11.4.1　企業經營風險

11.4.2　技術迭代風險

11.4.3　行業競爭風險

11.4.4　產業政策變化風險

11.5　行業投資建議

11.5.1　積極把握5G通訊市場機遇

11.5.2　收購企業實現關鍵技術突破

11.5.3　關注新能源汽車催生需求

11.5.4　國內企業向IDM模式轉型

11.5.5　加強高校與科研院所合作

11.6　投資項目案例

11.6.1　項目基本概述

11.6.2　投資價值分析

11.6.3　建設內容規劃

11.6.4　資金需求測算

11.6.5　實施進度安排

11.6.6　經濟效益分析

第十二章2022-2028年第三代半導體產業前景與趨勢預測

12.1　第三代半導體未來發展前景與趨勢

12.1.1　應用領域展望

12.1.2　產業發展機遇

12.1.3　重要發展窗口期

12.1.4　產業發展戰略

12.2　2022-2028年第三代半導體產業預測分析

12.2.1　2022-2028年中國第三代半導體影響因素分析

12.2.2　2022-2028年中國第三代半導體市場規模預測

12.2.3　2022-2028年中國第三代半導體市場結構預測(ZY TL)

附錄：

附錄一：關于促進中關村順義園第三代半導體等前沿半導體產業創新發展的若干措施

附錄二：“十四五”材料領域科技創新專項規劃

部分圖表目錄：

圖表　不同半導體材料性能比較（一）

圖表　不同半導體材料性能比較（二）

圖表　碳化硅、氮化鎵的性能優勢

圖表　半導體材料發展歷程及現狀

圖表　第三代半導體產業演進示意圖

圖表　第三代半導體產業鏈

圖表　第三代半導體襯底制備流程

圖表　第三代半導體產業鏈全景圖

圖表　第三代半導體健康的產業生態體系

圖表　中國第三代半導體產業技術創新戰略聯盟成員（一）

圖表　中國第三代半導體產業技術創新戰略聯盟成員（二）

圖表　中國第三代半導體產業技術創新戰略聯盟成員（三）

圖表　世界各國第三代半導體產業布局

圖表　全球第三代半導體產業格局

圖表　美國下一代功率電子技術國家制造業創新中心組成成員（一）

圖表　美國下一代功率電子技術國家制造業創新中心組成成員（二）

圖表　日本下一代功率半導體封裝技術開發聯盟成員（一）

圖表　日本下一代功率半導體封裝技術開發聯盟成員（二）

圖表　歐洲LAST POWER產學研項目成員

圖表　2021年國家部委關于集成電路產業的扶持政策匯總

圖表　襯底研發重點企業盤點

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