2025-2031年中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)市場(chǎng)需求分析及投資戰(zhàn)略咨詢報(bào)告

發(fā)布時(shí)間：2023-03-13 09:36:50

《2025-2031年中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)市場(chǎng)需求分析及投資戰(zhàn)略咨詢報(bào)告》共七章，包含中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)崂砑吧疃冉馕?，中?guó)第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)鏈代表性企業(yè)研究，中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)市場(chǎng)前瞻及投資策略建議等內(nèi)容。

報(bào)告編號(hào)R1138544
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報(bào)告目錄
研究方法

內(nèi)容概況

為了深入解讀第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀以及研判未來(lái)走向，智研咨詢精心編撰并推出了《2025-2031年中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)市場(chǎng)需求分析及投資戰(zhàn)略咨詢報(bào)告》（以下簡(jiǎn)稱(chēng)《報(bào)告》）。這份報(bào)告不僅是對(duì)中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的一次全面而細(xì)致的梳理，更是智研咨詢多年來(lái)持續(xù)追蹤、實(shí)地踏訪、深入研究與精準(zhǔn)分析的結(jié)晶。它旨在幫助行業(yè)精英和投資者們更加精準(zhǔn)地把握市場(chǎng)脈搏，洞察行業(yè)趨勢(shì)，為未來(lái)的決策提供有力支持。

《報(bào)告》主要研究中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況，細(xì)分市場(chǎng)包含碳化硅、氮化鎵、氮化鋁、金剛石、氧化鋅五大部分，涉及第三代半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模、市場(chǎng)格局、集中度、區(qū)域發(fā)展格局、成本結(jié)構(gòu)等細(xì)分?jǐn)?shù)據(jù)。

《報(bào)告》從國(guó)內(nèi)外經(jīng)濟(jì)環(huán)境、國(guó)內(nèi)政策、發(fā)展趨勢(shì)等方面入手，全方位分析了第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r，對(duì)業(yè)界廠商掌握產(chǎn)業(yè)動(dòng)態(tài)與未來(lái)創(chuàng)新趨勢(shì)提供相應(yīng)的建議和決策支持。

半導(dǎo)體材料是一類(lèi)具有半導(dǎo)體性能、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。而第三代半導(dǎo)體材料主要是指以硅(Si)和砷化鎵(GaAs)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大、臨界磁場(chǎng)高、電子遷移率與電子飽和遷移速率極高等性質(zhì)，適用于高壓、高頻、高溫的應(yīng)用場(chǎng)景，如新能源車(chē)、可再生能源、5G通信等。

第三代半導(dǎo)體材料是繼以硅(Si)和砷化鎵(GaAs)為代表的第一代和第二代半導(dǎo)體材料之后，迅速發(fā)展起來(lái)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。它是通過(guò)材料性能躍遷推動(dòng)電力電子系統(tǒng)效率提升（如SiC逆變器使電動(dòng)車(chē)?yán)m(xù)航增加5%-10%），是未來(lái)十年全球科技競(jìng)爭(zhēng)的戰(zhàn)略制高點(diǎn)，中國(guó)在該領(lǐng)域的產(chǎn)能擴(kuò)張與關(guān)鍵技術(shù)突破正加速改寫(xiě)全球產(chǎn)業(yè)格局。

目前，SiC和GaN是第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)較為成熟的材料。SiC具有高臨界磁場(chǎng)、高電子飽和速度與極高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，使得其器件適用于高頻高溫的應(yīng)用場(chǎng)景，相較于硅器件，可以顯著降低開(kāi)關(guān)損耗。因此，SiC可以制造高耐壓、大功率電力電子器件如MOSFET、IGBT、SBD等，用于智能電網(wǎng)、新能源汽車(chē)等行業(yè)。與硅元器件相比，GaN具有高臨界磁場(chǎng)、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點(diǎn)，是超高頻器件的極佳選擇，適用于5G通信、微波射頻等領(lǐng)域的應(yīng)用。

第三代半導(dǎo)體技代表了新一代半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展方向。近年來(lái)，在國(guó)家政策持續(xù)支持、技術(shù)創(chuàng)新加速的推動(dòng)下，我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體向好，尤其是第三代半導(dǎo)體技術(shù)。隨著“碳達(dá)峰、碳中和”戰(zhàn)略的推進(jìn)實(shí)施，綠色、低碳、清潔能源等技術(shù)將加速應(yīng)用，第三代半導(dǎo)體材料作為實(shí)現(xiàn)高效電能轉(zhuǎn)換技術(shù)的重要支撐獲得快速發(fā)展。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2023年我國(guó)第三代半導(dǎo)體功率電子和微波射頻兩個(gè)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)總產(chǎn)值155億元，其中，SiC、GaN功率電子產(chǎn)值規(guī)模達(dá)85.4億元，GaN微波射頻產(chǎn)值70億元。2024年，我國(guó)第三代半導(dǎo)體功率電子和微波射頻兩個(gè)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)總產(chǎn)值約168億元，其中，SiC、GaN功率電子產(chǎn)值規(guī)模約95億元，GaN微波射頻產(chǎn)值約73億元。隨著人工智能、數(shù)據(jù)中心、汽車(chē)電子等應(yīng)用領(lǐng)域的快速發(fā)展，行業(yè)正迎來(lái)前所未有的發(fā)展機(jī)遇。

第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上游主要包括碳化硅的原料石英礦、石油焦，氮化鎵的原料硝酸鹽、金屬鎵；行業(yè)中游為第三代半導(dǎo)體材料生產(chǎn)；行業(yè)下游主要應(yīng)用于器件/模塊的制造，半導(dǎo)體產(chǎn)品終端應(yīng)用于新能源車(chē)、可再生能源、5G通信等各個(gè)領(lǐng)域。

中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)將在政策、技術(shù)、市場(chǎng)需求的三重驅(qū)動(dòng)下加速發(fā)展，國(guó)內(nèi)主流半導(dǎo)體企業(yè)均加強(qiáng)在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的布局，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈。目前，我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)主要企業(yè)包括三安光電、華潤(rùn)微、士蘭微、賽微電子、天岳先進(jìn)等企業(yè)。

智研咨詢研究團(tuán)隊(duì)圍繞中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)規(guī)模、產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、重點(diǎn)企業(yè)情況、產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)等方面進(jìn)行深入分析，并針對(duì)第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展中存在的問(wèn)題提出建議，為各地政府、產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)聯(lián)企業(yè)、投資機(jī)構(gòu)提供參考。

【特別說(shuō)明】
1）內(nèi)容概況部分為我司關(guān)于該研究報(bào)告核心要素的提煉與展現(xiàn)，內(nèi)容概況中存在數(shù)據(jù)更新不及時(shí)情況，最終出具的報(bào)告數(shù)據(jù)以年度為單位監(jiān)測(cè)更新。
2）報(bào)告最終交付版本與內(nèi)容概況在展示形式上存在一定差異，但最終交付版完整、全面的涵蓋了內(nèi)容概況的相關(guān)要素。報(bào)告將以PDF格式提供。

報(bào)告目錄

第1章第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)界定及發(fā)展環(huán)境剖析

1.1 第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)的界定及統(tǒng)計(jì)說(shuō)明

1.1.1 半導(dǎo)體及半導(dǎo)體材料界定

（1）半導(dǎo)體的界定

（2）半導(dǎo)體材料的界定及在半導(dǎo)體行業(yè)中的地位

（3）第一代半導(dǎo)體材料

（4）第二代半導(dǎo)體材料

1.1.2 第三代半導(dǎo)體材料界定

（1）定義

（2）分類(lèi)

1.1.3 與第一代和第二代半導(dǎo)體材料對(duì)比

（1）分類(lèi)

（2）性能

（3）應(yīng)用領(lǐng)域

1.1.4 本報(bào)告行業(yè)研究范圍的界定說(shuō)明

1.1.5 本報(bào)告的數(shù)據(jù)來(lái)源及統(tǒng)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明

1.2 中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)政策環(huán)境

1.2.1 行業(yè)監(jiān)管體系及機(jī)構(gòu)介紹

1.2.2 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)現(xiàn)狀

（1）標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)

（2）行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)匯總

（3）重點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)解讀

1.2.3 行業(yè)發(fā)展相關(guān)政策規(guī)劃匯總及解讀

（1）國(guó)家層面

（2）地方層面

1.2.4 行業(yè)重點(diǎn)政策規(guī)劃解讀

（1）《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》

（2）《重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄》

1.2.5 政策環(huán)境對(duì)行業(yè)發(fā)展的影響分析

1.3 中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)經(jīng)濟(jì)環(huán)境

1.3.1 宏觀經(jīng)濟(jì)發(fā)展現(xiàn)狀

（1）GDP情況

（2）工業(yè)增加值

（3）固定資產(chǎn)投資

1.3.2 宏觀經(jīng)濟(jì)發(fā)展展望

1.3.3 行業(yè)發(fā)展與宏觀經(jīng)濟(jì)相關(guān)性分析

1.4 中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)社會(huì)環(huán)境

1.4.1 集成電路嚴(yán)重依賴進(jìn)口

1.4.2 移動(dòng)端需求助力行業(yè)快速發(fā)展

1.4.3 社會(huì)環(huán)境對(duì)行業(yè)發(fā)展的影響

1.5 中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)技術(shù)環(huán)境

1.5.1 影響行業(yè)發(fā)展的核心關(guān)鍵技術(shù)分析

1.5.2 行業(yè)技術(shù)發(fā)展與突破現(xiàn)狀

1.5.3 行業(yè)專(zhuān)利申請(qǐng)及公開(kāi)情況

（1）專(zhuān)利申請(qǐng)數(shù)分析

（2）專(zhuān)利申請(qǐng)人分析

（3）熱門(mén)專(zhuān)利技術(shù)分析

1.5.4 行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新趨勢(shì)

1.5.5 技術(shù)環(huán)境對(duì)行業(yè)發(fā)展的影響分析

第2章全球第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展分析

2.1 全球第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

2.1.1 全球半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

2.1.2 全球第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展環(huán)境

2.1.3 全球第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

2.1.4 全球第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)應(yīng)用發(fā)展

2.2 全球第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)區(qū)域發(fā)展格局分析

2.2.1 全球第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)區(qū)域發(fā)展現(xiàn)狀

2.2.2 重點(diǎn)區(qū)域第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展分析

（1）美國(guó)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)

（2）歐洲第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)

（3）日本第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)

2.3 全球第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局分析

2.3.1 全球第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)企業(yè)兼并重組動(dòng)態(tài)

2.3.2 全球第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局

（1）碳化硅（SiC）市場(chǎng)

（2）氮化鎵（GaN）市場(chǎng)

2.3.3 全球第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)代表性企業(yè)布局案例

（1）英飛凌（Infineon）

（2）科銳Cree（Wolfspeed）

（3）羅姆（ROHM）

（4）意法半導(dǎo)體（ST Microelctronics）

（5）三菱電機(jī)

2.4 全球第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展前景預(yù)測(cè)

第3章中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展分析

3.1 中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

3.1.1 中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展概況

（1）中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展歷程

（2）中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展特點(diǎn)

3.1.2 中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模分析

3.1.3 中國(guó)半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)格局分析

（1）集成電路設(shè)計(jì)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局

（2）集成電路封測(cè)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局

3.1.4 中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分析

3.1.5 中國(guó)半導(dǎo)體區(qū)域分布情況

3.1.6 中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)前景分析

（1）中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)分析

（2）中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展前景預(yù)測(cè)

3.2 中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展歷程及市場(chǎng)特征

3.2.1 中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展歷程

3.2.2 中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)市場(chǎng)特征

3.3 中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)供需現(xiàn)狀

3.3.1 中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)參與者類(lèi)型

（1）碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要產(chǎn)商

（2）氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈主要產(chǎn)商

3.3.2 中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)供給狀況

（1）第三代半導(dǎo)體行業(yè)項(xiàng)目研發(fā)

（2）第三代半導(dǎo)體商業(yè)化進(jìn)程

（3）第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品供應(yīng)情況

3.3.3 中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)需求狀況

3.3.4 中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)價(jià)格水平及走勢(shì)

3.4 中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模

第4章中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)分析

4.1 第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)波特五力模型分析

4.1.1 行業(yè)現(xiàn)有競(jìng)爭(zhēng)者分析

4.1.2 行業(yè)潛在進(jìn)入者威脅

4.1.3 行業(yè)替代品威脅分析

4.1.4 行業(yè)供應(yīng)商議價(jià)能力分析

4.1.5 行業(yè)購(gòu)買(mǎi)者議價(jià)能力分析

4.1.6 行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)情況總結(jié)

4.2 第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)投融資、兼并與重組分析

4.2.1 行業(yè)投融資發(fā)展?fàn)顩r

4.2.2 行業(yè)兼并與重組狀況

4.3 第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)市場(chǎng)進(jìn)入與退出壁壘

4.4 第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)市場(chǎng)格局及集中度分析

4.4.1 中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局

4.4.2 中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)市場(chǎng)集中度分析

4.5 第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)區(qū)域發(fā)展格局及重點(diǎn)區(qū)域市場(chǎng)解析

4.5.1 中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)區(qū)域發(fā)展格局

4.5.2 中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)重點(diǎn)區(qū)域市場(chǎng)解析

（1）北京市

（2）蘇州市

第5章中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)崂砑吧疃冉馕?/h4>
5.1 第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)崂砑俺杀窘Y(jié)構(gòu)分析
5.1.1 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)崂?/p>
5.1.2 第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)崂?/p>
5.1.3 第三代半導(dǎo)體材料成本結(jié)構(gòu)分析
5.2 第三代半導(dǎo)體材料上游供應(yīng)市場(chǎng)分析
5.2.1 原材料-石英市場(chǎng)分析
（1）相關(guān)概述
（2）市場(chǎng)供應(yīng)現(xiàn)狀
（3）市場(chǎng)供應(yīng)趨勢(shì)
5.2.2 原材料-石油焦市場(chǎng)分析
（1）相關(guān)概述
（2）市場(chǎng)供應(yīng)現(xiàn)狀
（3）市場(chǎng)供應(yīng)趨勢(shì)
5.2.3 原材料-金屬鎵市場(chǎng)分析
（1）相關(guān)概述
（2）市場(chǎng)供應(yīng)現(xiàn)狀
（3）市場(chǎng)供應(yīng)趨勢(shì)
5.2.4 關(guān)鍵設(shè)備市場(chǎng)分析
5.2.5 上游供應(yīng)市場(chǎng)對(duì)行業(yè)的影響
5.3 第三代半導(dǎo)體材料中游細(xì)分產(chǎn)品市場(chǎng)分析
5.3.1 碳化硅（SiC）
（1）產(chǎn)品概況
（2）市場(chǎng)規(guī)模
（3）市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)狀況
（4）市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)
5.3.2 氮化鎵（GaN）
（1）產(chǎn)品概況
（2）市場(chǎng)規(guī)模
（3）市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)狀況
（4）市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)
5.3.3 氮化鋁（AIN）
（1）基本簡(jiǎn)介
（2）應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
（3）研發(fā)現(xiàn)狀
5.3.4 金剛石
（1）基本簡(jiǎn)介
（2）應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
（3）制備方法
5.3.5 氧化鋅（ZnO）
（1）基本簡(jiǎn)介
（2）應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
（3）研發(fā)現(xiàn)狀
5.4 第三代半導(dǎo)體材料下游應(yīng)用領(lǐng)域市場(chǎng)分析
5.4.1 第三代半導(dǎo)體材料下游應(yīng)用概述
5.4.2 電力電子版塊
（1）半導(dǎo)體材料的應(yīng)用規(guī)模
（2）電力電子器件的應(yīng)用領(lǐng)域
5.4.3 微波射頻版塊
（1）半導(dǎo)體材料的應(yīng)用規(guī)模
（2）射頻器件的應(yīng)用領(lǐng)域
5.4.4 光電子版塊
5.5 第三代半導(dǎo)體材料銷(xiāo)售渠道發(fā)展現(xiàn)狀

第6章中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)鏈代表性企業(yè)研究

6.1 中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)鏈代表性企業(yè)發(fā)展布局對(duì)比

6.2 中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)鏈代表性企業(yè)研究

6.2.1 華潤(rùn)微電子有限公司

（1）企業(yè)基本信息

（2）企業(yè)運(yùn)營(yíng)現(xiàn)狀

（3）企業(yè)第三代半導(dǎo)體材料業(yè)務(wù)分析