英國(guó)國(guó)家物理實(shí)驗(yàn)室（NPL）和薩里大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)了一種單步程序，使單晶硅承受創(chuàng)紀(jì)錄的更大應(yīng)變，這一進(jìn)展或?qū)韫庾訉W(xué)發(fā)展起到重要作用。論文發(fā)表在《Physical Review Materials》雜志上。

硅光子學(xué)是物聯(lián)網(wǎng)背后技術(shù)的基礎(chǔ)。該團(tuán)隊(duì)利用離子注入對(duì)硅膜施加應(yīng)變，其方式類似于收緊鼓皮，應(yīng)變通過改變其電子結(jié)構(gòu)來增強(qiáng)硅的發(fā)光能力。然后，使用稱為電子背散射衍射（EBSD）的掃描電子顯微鏡技術(shù)來測(cè)量應(yīng)變膜的形狀和結(jié)構(gòu)，拍攝電子如何從膜上反彈（“反向散射”）的照片，并檢查高應(yīng)變是否均勻地施加在膜上且不會(huì)在材料中產(chǎn)生意外的缺陷。

注：本文摘自國(guó)外相關(guān)研究報(bào)道，文章內(nèi)容不代表本網(wǎng)站觀點(diǎn)和立場(chǎng)，僅供參考。

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