【重點政策】廣州琶洲人工智能與數字經濟試驗區管理委員會、廣州市海珠區科技工業商務和信息化局發布《廣州市海珠區建設人工智能大模型應用示范區實施細則》

6月18日，廣州琶洲人工智能與數字經濟試驗區管理委員會、廣州市海珠區科技工業商務和信息化局發布《廣州市海珠區建設人工智能大模型應用示范區實施細則》（以下簡稱《實施細則》）。

《實施細則》提出，針對海珠區重點引進的集成電路設計企業的規模化發展，海珠區政府將按照按照細則給予企業規模化發展獎勵。同時，《實施細則》明確指出，將給予集成電路設計企業研發創新補貼，一是對企業購買、租賃EDA工具在海珠區開展集成電路研發設計的，將按照不超過實際購買、租賃費用的50%給予補助，單個企業每年最高300萬元；二是對開展新型智能計算芯片、新型存儲器、開源處理器等前沿領域研發階段工程流片（全掩膜）的集成電路設計企業按不超過流片費用的60%給予補助，單個企業每年最高1200萬元；對研發階段開展多項目晶圓（MPW）流片或其他全掩膜工程流片的集成電路設計企業，按照不超過流片費用的60%給予補助，單個企業每年最高800萬元。

點評：作為全國電子信息產業第一大省，廣東在消費電子、通信、人工智能、汽車電子等領域擁有國內最大的半導體及集成電路應用市場。近年來廣東省大力實施“廣東強芯”工程，加快構建集成電路產業“四梁八柱”，已在高端模擬、化合物半導體、MEMS傳感器等特色工藝方面布局一批重大產線項目，基本形成以廣州、深圳、珠海為核心，帶動佛山、東莞等地協同發展的“3+N”產業格局，產業加速形成集聚，發展生態日趨完善，促使廣東省已成為我國科技產業集聚的重要區域，全省半導體集成電路產業發展位居全國前列。數據顯示，2023年廣東省半導體及集成電路產業集群營收已超過2700億元，同比增長了19.04%，較2019年復合增長了22.47%。

此次《實施細則》發布意味著，廣東省將繼續執行“廣東強芯”發展規劃。在此情況下，廣東省集成電路設計企業將獲得更多政府資金支持，這對將極大程度上緩解大部分集成電路設計公司面臨的高研發創新投入壓力，同時也將持續吸引更多集成電路企業落戶廣東，為廣東吸引來更多集成電路投資，以持續為整個廣東省芯片半導體產業發展注入活力，進一步提升省內芯片半導體相關核心技術研發創新實力，加速補齊全省半導體產業鏈短板。在國際技術封鎖及國內區域競爭加劇背景下，《實施細則》的發布無疑是為廣東省甚至于是全國半導體集成電路產業發展注入了一劑強心針，將逐步助力解決廣東省面臨的半導體人才短缺、高端芯片產品對外依存度較高等問題，把廣東省打造成全國半導體產業高地、實現“到2025年廣東半導體及集成電路產業集群營收突破4000億元”目標的同時，持續助力科技強國戰略規劃實施。

圖1：2019-2023年廣州省半導體及集成電路產業集群營收變化（單位：億元）

資料來源：智研咨詢整理

【重點政策】福建省工業和信息化廳等五部門聯合印發《福建省加快新材料推廣應用和產業高質量發展行動方案（2024—2026年）》

6月19日，福建省工業和信息化廳等五部門聯合印發《福建省加快新材料推廣應用和產業高質量發展行動方案（2024—2026年）》（以下簡稱《行動方案》）。

《行動方案》提出要優先發展先進半導體材料和新型顯示材料，指出以福州、泉州、廈門等地為重點，依托光電信息材料產業基礎優勢，聚焦集成電路材料本地配套及服務能力，發展大尺寸硅片、光刻膠、高純化學試劑、電子氣體、封裝材料以及以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導體材料，鞏固激光晶體、磁光晶體、半導體發光材料等光電子材料技術優勢，加快液晶、濺射靶材、光學基膜、電致發光量子點等核心基礎材料研發和產業化。

【重點事件】2024新一代半導體晶體技術及應用大會在濟南召開

6月21至23日，“新一代半導體晶體技術及應用大會”將在山東濟南召開，會議由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，山東大學新一代半導體材料研究院、山東大學晶體材料國家重點實驗室、濟南市歷城區人民政府、山東中晶芯源半導體科技有限公司、山東華光光電子股份有限公司、極智半導體產業網、第三代半導體產業聯合主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司、廣東南砂晶圓半導體技術有限公司共同承辦，山東硅酸鹽學會新材料專委會、北京中電科電子裝備有限公司、蘇州英谷激光科技股份有限公司、江蘇通用半導體有限公司、江蘇才道精密儀器有限公司、上海澈芯科技有限公司等單位協辦支持。

本次會議除了重量級開幕大會，同時設有四大主題技術平行論壇，將邀請新一代半導體領域相關高校院所專家和知名企業代表出席，共同研討新一代半導體晶體技術進展及未來發展趨勢，分享前沿研究成果，攜手助力我國新一代半導體晶體技術進步和產業發展。

【重點事件】半導體先進制程電子特氣生產基地項目落地肥東

6月19日，上海啟元氣體與肥東縣政府正式簽署半導體先進制程電子特氣國產化項目投資合作協議。啟元氣體董事長俞俊、肥東縣委書記姚飛共同見證簽約，啟元氣體首席運營官楊建、肥東縣委常委、副縣長吳剛共同簽署協議。

上海啟元氣體將依托韓系技術資源及支持，計劃在位于合肥市肥東縣的合肥循環經濟示范園內建設國內高標準的半導體先進制程電子特氣生產基地。項目占地面積約70畝，建成達產后，預計實現年營收不低于10億元，年稅收不低于6000萬元。該項目的落地，將加快推動國際半導體先進制程電子特氣材料國產化進程，部分產品填補國內空白，將極大增強國內半導體先進制程所需電子特氣的本土供應能力。

上海啟元氣體發展有限公司成立于2009年8月，主要從事電子特氣、電子氣體設備制造及大宗氣體供氣的研發、生產及銷售業務。曾打造國內首臺套氪氙和氖氦稀有氣體精煉設備，并榮獲上海市科技進步三等獎。公司主要高純電子特氣產品已服務于全球一流半導體企業，是國內較早通過韓國三星、SK海力士認證的企業。上海啟元氣體于2021年獲得韓國TEMC戰略投資，TEMC是韓國著名的電子材料上市公司，是三星、SK海力士的核心電子特氣供應商。

電子氣體在電子產品制程工藝中廣泛用于離子注入、刻蝕、氣相沉積、摻雜等工藝，電子半導體器件的性能優劣與電子氣體的純度和質量息息相關。該生產基地建成后，將承擔半導體先進制程所需電子特氣材料的研發、生產、分析及倉儲中心等功能，滿足國內本土終端在先進制程工藝升級中對新材料的需求，實現半導體材料供應鏈自主可控的目標。

【重點企業】新宙邦南通半導體配套項目開工

6月18日，據國家級南通經濟技術開發區官微消息，新宙邦半導體新材料項目開工儀式在區舉行。

據悉，新宙邦半導體新材料項目總投資20億元，建設年產12.5萬噸半導體新材料、20.5萬噸鋰電池電解液和0.85萬噸工業級雙氧水，該項目科技含量高、投資強度大、投入產出效益好。項目達產后，預計年產值將達25億元，年稅收收入不低于7700萬元。

管委會副主任王偉表示，新宙邦半導體新材料項目的產品可廣泛應用于國產芯片和新能源汽車行業，應用場景豐富、市場前景廣闊，對長三角半導體和新能源產業鏈建設具有重要意義，也將為我區半導體產業做大做強注入新動能。

【重點事件】三井化學將量產光刻薄膜新品，支持ASML下一代光刻機

6月18日消息，日本三井化學宣布將在其巖國大竹工廠設立碳納米管 (CNT) 薄膜生產線，開始量產半導體最尖端光刻機的零部件產品（保護半導體電路原版的薄膜材料“Pellicle”的新一代產品）。

據悉，此種CNT薄膜可以實現92%以上的高EUV透射率和超過1kW曝光輸出功率的光阻能力。三井化學預期年產能力為5000張，生產線預計于2025年12月完工，可為ASML將推出的下一代高數值孔徑、高輸出EUV光刻機提供支持。

【重點企業】南京長晶年產200億顆新型元器件項目預計8月竣工

6月17日，據浦口發布官微消息，江蘇長晶年產200億顆新型元器件項目迎來最新進展，預計8月底完成竣工驗收，9月投產運營。本項目的建成能提升國產化功率器件競爭實力，降低對國外產品的依賴。

據悉，長晶年產200億顆新型元器件項目位于浦口經濟開發區，由江蘇長晶浦聯功率半導體有限公司投資建設。項目總投資9.5億元，2024年計劃投資3億元，總占地148畝，總建筑面積約12.9萬平方米，建設生產廠房、動力中心、庫房等，主要生產表面貼裝的半導體分立器件和功率器件。建成達產后，預計年產器件200億顆。預計年產值12億元、年稅收5000萬元，新增就業崗位1200個。

【重點企業】海納股份浦江項目正式結頂

6月19日，眾合科技控股子公司浙江海納半導體股份有限公司高端功率器件用半導體級拋光片生產線項目正式結頂，預示著海納拋光基地即將邁入整體竣工與交付階段，項目通線后將正式具備6-8英寸拋光片的規模化生產與供貨能力。這一里程碑事件不僅彰顯了海納股份在半導體材料領域的嶄新地位，更為眾合科技“1+2+N”戰略布局注入了強勁動力。

作為2024年浙江省重大產業項目，該項目位于浙江省金華市浦江縣浦江經濟開發區，計劃總投資22.14億元，總建筑面積達12萬平方米左右，建成后將實現年產432萬片6-8 英寸拋光片，躋身為國內領先的拋光片獨立供應商。

硅片作為半導體產業鏈的基石，其質量直接決定芯片的質量和良率，進一步影響整個半導體產業以及更下游的通信、汽車、計算機和消費電子等行業的發展。當前，12英寸硅晶圓憑借大尺寸及可降低單位成本等優勢受到市場熱捧，導致8英寸硅晶圓產能有所下滑。但8英寸拋光硅片仍因其高良率、品質穩定及高性價比而保有巨大的市場空間。據行業數據統計，目前國內8英寸硅片的國產化率不足20%，因此國產替代的需求迫切且旺盛。

海納浦江項目的創新之處不僅在于規模，更在于其技術革新。通過實施自動化與信息化的雙引擎策略，該項目將推動工廠內部生產流程向更加模塊化、智能化的方向發展，可實現70%工序的黑燈化操作和100%工序的集控化生產，顯著提升訂單交付率與生產達成率，有力助推工業4.0的革新步伐。這是海納股份在推動中國半導體產業國產化及突破國外技術封鎖征途中邁出的重要一步。

【重點企業】南智光電晶圓級薄膜鈮酸鋰PDK正式發布

6月18日，據南京江北新區產業技術研創園官微消息，由南智先進光電集成技術研究院有限公司（下簡稱“南智光電”）主導的晶圓級薄膜鈮酸鋰器件工藝開發包（Process Design Kit，簡稱PDK）1.0版正式發布。該PDK的發布不僅標志著晶圓級薄膜鈮酸鋰光電子器件設計與加工工藝標準化取得新的重要進展，也標志著南智光電平臺光子芯片產線正式具備標準化代工流片能力。

據悉，該PDK中提供各種有源、無源器件，包括低損耗彎曲波導、分束器、端面耦合器和高速馬赫曾德爾調制器等。基于該PDK，南智光電可提供多項目晶圓（MPW）和定制化芯片制造服務，極大地減少了鈮酸鋰高端光電子芯片設計及研發的成本，并為客戶提供專業高效的流片服務。

資料顯示，南智光電成立于2018年，主要開展光學微納結構器件制造、異質集成光電芯片、光電子封裝測試和光電集成設計等方向的技術研發和量產代工，已建成“薄膜鈮酸鋰+X”（X代表硅、化合物半導體、低維材料等）光子芯片產線，為光電企業、高校院所提供芯片器件研制、開發和代工生產。南智光電致力于晶圓級薄膜鈮酸鋰器件的制備工藝開發，通過PDK規范并定義調制器等器件加工所需的各類關鍵信息，可有效減少客戶從設計到流片的時間成本，降低企業在研發和生產過程中的試錯成本，提高生產效率。

【重點企業】三星或升級美國德州泰勒晶圓廠制程節點

6月18日，根據韓國媒體Etnews報導消息，晶圓代工大廠三星正在考慮將其設在美國德州泰勒市的晶圓廠制程技術，從原計劃的4納米改為2納米，以加強與臺積電美國廠和英特爾的競爭。消息人士稱，三星電子最快將于第三季做出最終決定。

報導指出，三星的美國德州泰勒市晶圓廠投資于2021年，2022年開始興建，計劃于2024年底開始分階段運營。以三星電子DS部門前負責人Lee Bong-hyun之前的說法表示，到2024年底，我們將開始從這里出貨4納米節點制程的產品。

不過，相較于三星泰勒市晶圓廠，英特爾計劃2024年在亞利桑那州和俄亥俄州工廠量產Intel 20A和18A節點制程。

此外，臺積電也正在美國建設三座晶圓廠，計劃2025年上半年投產4納米節點制程，2028年投產2納米及3納米節點制程，2030年投產2納米及其以下的先進節點制程。因此，相較來說，三星的進度稍有所落后競爭對手。

而根據在4月份舉行的第一季業績發表會上，三星電子表示，我們正準備根據客戶訂單分階段啟動美國泰勒市晶圓廠的運營工作，預計將于2026年開始進一步的首次量產。而受惠于泰勒市晶圓廠，三星電子能夠從美國政府獲得64億美元的補貼，這使得三星預計到2030年總投資預計將超過400億美元。因此，對于泰勒市晶圓廠的制程轉變，未來是否會影響市場占有率，市場還需拭目以待。

【重點企業】SiCSem擬在印度新建一座SiC工廠

6月18日，據外媒消息，總部位于印度欽奈的SiCSem Private Limited（下文簡稱SiCSem）計劃在印度奧里薩邦建立一座涵蓋碳化硅（SiC）制造、組裝、測試和封裝（ATMP）工廠。

基于這一規劃，6月15日，SiCSem與印度理工學院布巴內斯瓦爾分校（IIT-BBS）就化合物半導體領域研究事宜簽署了合作協議。

根據協議，雙方之間首個項目是在IIT-BBS實現SiC晶體生長的本土化。這一項目專注于6英寸和8英寸SiC晶圓的大批量生產，預估耗資4.5億盧比（折合人民幣約3900萬元）。

該項目將有助于印度在電動汽車（EV）、快速充電器、綠色能源、光伏逆變器、電機控制、5G通信等先進技術的功率半導體器件方面實現自給自足。

值得一提的是，前不久，印度軟件公司Zoho也宣布將在本土建立8英寸SiC工廠，該公司目前已獲得Clas-SiC的技術支持。

此外，還有報道指出，總部位于美國的Silicon Power Group的印度子公司RIR Power Electronics也正在向印度政府申請生產SiC許可證。

【重點企業】中巨芯擬追加電子濕化學品擴能改造項目投資

6月18日，中巨芯發布公告稱，鑒于下游市場客戶需求增加，特別是對槽車形式供貨需求的增加，以及公司拓展海外業務的需要，公司擬對電子濕化學品擴能改造項目追加投資7670萬元，主要用于槽車采購。電子濕化學品擴能改造項目投資總額將從31936.11萬元增加至39606.11萬元。

中巨芯稱，由于國際環境、宏觀經濟等變化影響，下游客戶對公司電子濕化學品需求增長超出預期，本項目原槽車數量已無法滿足下游客戶需求。追加項目投資采購槽車，不僅能有效滿足國內下游客戶的需求，同時能夠滿足海外市場拓展的需要，有利于提高公司產品市場份額，增強公司競爭力和可持續發展能力。

除了上述項目，中巨芯也于今年1月與衢州市智造新城管理委員會簽署《投資協議書》，在衢州市智造新城區投資新建“集成電路制造用先進電子化學材料項目”，預計項目總投資金額約人民幣6億元，其中新增固定資產投資約5.1億元。

集成電路制造用先進電子化學材料項目主要建設11,000噸配方型清洗液、100噸二異丙胺基硅烷、10噸硅烷基胺、2噸鑭金屬前驅體、1.5噸鈦金屬前驅體、1.5噸（3，3-二甲基1-丁炔）六羰基二鈷等內容。

中巨芯表示，本次投資符合公司戰略發展規劃，有利于提高公司產品供應保障能力，做強配方型電子化學品、前驅體材料等集成電路用先進電子化學材料產品，提高公司競爭優勢，增強公司的可持續發展和盈利能力。

【重點企業】光馳半導體原子層鍍膜與刻蝕鍍膜項目竣工

6月18日消息，光馳半導體技術（上海）有限公司投資建設的原子層鍍膜與刻蝕設備項目順利完成竣工驗收。

寶山高新區消息顯示，原子層鍍膜與刻蝕設備項目位于寶山高新區07-17地塊，總投資5.48億元，占地面積50畝，總建筑面積6.44萬㎡，其中一期建筑面積約3.8萬㎡，涵蓋標準廠房、研發辦公樓等。項目主要致力新型電子元器件及設備制造，利用全球泛半導體產業鏈的調整與相關前沿研發的投入與技術整合，實現電子專用設備制造產業化、規模化。

光馳半導體技術（上海）有限公司，作為光馳科技（上海）有限公司全資子公司。光馳科技自2000年入駐寶山高新區南部園區。2022年，光馳科技將傳統光學與半導體技術融合，于北部園區投資設立光馳半導體，進一步提升制造空間與產能，開辟光學元器件向半導體集成光學轉變的新市場。項目預計達產后年產能將達到高精度原子層鍍膜機120臺和5臺刻蝕機。

2023年4月10日，光馳半導體技術（上海）有限公司半導體原子層鍍膜與刻蝕鍍膜項目一期正式封頂。

【重點事件】年產36萬片碳化硅晶圓的長飛先進武漢基地主體結構封頂

6月18日，年產36萬片碳化硅晶圓的長飛先進武漢基地主體結構正式封頂。接下來將進入塔樓內部裝修及裙樓主體結構施工階段，預計明年7月量產通線。

據悉，長飛先進武漢基地聚焦第三代半導體功率器件研發與生產，致力于打造一個集芯片設計、制造及先進技術研發于一體的現代化半導體制造基地。項目總投資預計超過200億元，占地面積約22.94萬平方米，建筑面積約30.15萬平方米，主要建設內容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產配套用房設施等。

項目投產后，可年產36萬片碳化硅晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊，廣泛應用于新能源汽車、光伏、儲能、充電樁等領域，還將吸引并帶動更多化合物半導體產業鏈上下游企業聚集、交流與協作，加快構建更加完善的碳化硅產業生態。武漢基地是長飛先進發展戰略中至關重要的一環，項目的順利封頂標志著長飛先進三大基地——蕪湖基地、上海技術中心、武漢基地布局初步形成。

【重點企業】先楫半導體完成B輪融資，聚焦國產高性能RISC-V MCU芯片

6月19日消息，國產高性能微控制器廠商上海先楫半導體科技有限公司宣布完成新一輪近億元融資。本輪融資由天堂硅谷資本領投，天津永鈦海河、杭州元琰股權投資基金及三旺奇通等跟投。所得資金將主要用于豐富其高性能微控制器的產品線，并拓展及擴大其在工業自動化、新能源和汽車電子三大領域的市場發展，尤其是加速在智能駕駛、機器人、邊緣側AI芯片等領域的開拓。

【重點企業】士蘭集宏8英寸SiC芯片生產線開建

6月18日，士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產線項目在海滄開工。

據悉，士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產線項目總投資120億元，分兩期建設。將建設一條以SiC-MOSFET為主要產品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產線，建成后將形成年產72萬片8英寸碳化硅功率器件芯片的生產能力。其中，一期項目總投資70億元，預計2025年三季度末初步通線，2025年四季度試生產，達產后年產42萬片。項目建成后將極大提升士蘭微碳化硅芯片制造能力，較好滿足國內新能源汽車所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、儲能、充電樁等功率逆變產品提供高性能的碳化硅芯片。

上個月，士蘭微發布公告稱，擬與廈門半導體投資集團有限公司、廈門新翼科技實業有限公司共同向子公司廈門士蘭集宏半導體有限公司增資41.50億元，并簽署《8 英寸 SiC 功率器件芯片制造生產線項目之投資合作協議》。

據了解，此次開工項目是繼士蘭集科“12英寸特色工藝芯片生產線”和士蘭明鎵“先進化合物半導體器件生產線”后，士蘭微落地廈門的第三個重大項目，將助推廈門市第三代半導體產業加快發展，搶占未來產業賽道、加快產業轉型升級、發展新質生產力提供有力支撐。同時，也有利于加快實現公司SiC功率器件的產業化，完善公司在車規級高端功率半導體領域的戰略布局。

【重點企業】安森美將在捷克投資至多20億美元，擴大半導體產能

6月19日，美國芯片制造商安森美表示，將至多投資20億美元，以提高其在捷克共和國的半導體產量，從而擴大該公司在歐洲的產能，目的是尋求歐盟關鍵需求自給自足。

安森美這一項目，將成為捷克歷史上金額最大的一次性外國直接投資。該公司計劃擴大其在東部城鎮Roznov pod Radhostem的業務，以容納碳化硅（SiC）半導體的整個生產鏈，包括汽車和可再生能源領域最終使用的芯片模塊。

近期意法半導體在意大利也采取了類似舉措，將對碳化硅芯片生產投資；英特爾、臺積電也在德國進行投資。

安森美的一份聲明稱，“該工廠將生產智能功率半導體，這些半導體芯片對提高電動汽車、可再生能源和人工智能（AI）數據中心等應用的能效至關重要。

【重點技術】清華大學研發光子芯片側重自動駕駛等邊緣智能應用

6月18日消息，清華大學研究團隊的展示了一項成果——新型智能光子傳感計算芯片，可以在納秒級時間內處理、傳輸和重建場景圖像。

這款名為光學并行計算陣列（OPCA）的芯片，在納秒級時間內完成了圖像的處理、傳輸和重建，其處理帶寬高達一千億像素，響應時間僅為6納秒，比現有技術快了約六個數量級。速度提升的背后得益于該芯片獨特的集成傳感和計算功能設計。

OPCA芯片的工作原理是利用光子技術，在光域內直接對圖像進行處理和分析。這不僅避免了信息損失和誤差，光子技術的并行處理能力也使得芯片能夠同時處理大量數據，進一步提高了處理速度。

OPCA芯片有利于自動駕駛、工業檢測和機器人視覺等機器視覺應用的邊緣智能發展，在自動駕駛領域，它能夠實時捕捉并處理道路信息，為車輛提供準確的導航和避障功能。

【重點事件】全芯微DFN QFN封裝項目簽約廣東羅定

6月17日，羅定市人民政府與深圳卓銳思創科技有限公司舉行全芯微DFN QFN封裝項目簽約儀式。據悉，此次簽約項目計劃投資10億元以上，主要包含光電半導體制造、DFN QFN芯片封測、CP中測等三個板塊，建成后年產值預計可達20億元，可產生稅收5000萬元以上，將有力推動羅定電子信息產業做大做強，為高質量發展注入強勁動力。

【重點企業】頎中科技合肥研發中心啟用

6月18日，頎中科技成立20周年暨合肥研發中心啟用活動成功舉辦。

合肥新站區消息顯示，作為先進封測領域的領軍企業，頎中科技始終專注于集成電路高端先進封裝測試服務，憑借在顯示驅動芯片封測領域的卓越表現，不僅成為境內規模最大、全球第三的顯示驅動芯片封測廠商，還在電源管理芯片和射頻前端芯片等非顯示類芯片封測領域取得了顯著進展。2023年4月20日，頎中科技在上海交易所科創板掛牌上市，迎來了企業發展的嶄新篇章。2024年1月，頎中先進封裝測試生產基地項目正式投產，當前預計產能為凸塊及晶圓測試每月1萬片，薄膜覆晶封裝每月約3000萬顆。

據介紹，頎中科技合肥研發中心將引進國內首批全自動金電鍍機機臺、國產頂尖SEM分析設備等，具備從材料到設備全鏈條國產化的基礎條件。未來將加快推進顯示驅動芯片金凸塊制造、后段先進封測以及相關智能制造領域的工藝創新和新產品研發。

現場，頎中科技與合肥工業大學微電子學院達成了戰略合作，雙方將充分整合各自優勢資源，加快推進關鍵基礎性技術創新、前沿引領技術創新成果轉化和產業化。此外，雙方還將通過產教融合、校企合作等多種模式，努力建成新一代電子信息技術人才培養、科學研究與產學研用一體化基地。