韓國科學技術研究院（KIST）人工大腦融合研究所、韓國科學技術院（KAIST）及韓國化學研究院聯合研究團隊成功研發新二維絕緣體物質合成技術，制作出高性能人工突觸元件。

目前利用硅基的半導體芯片比生物突觸耗能大，集成度低。該科研團隊的核心技術是應用氧化物及無機物材料的特性研制二維絕緣體新物質，結合自主研發的原子級納米二維半導體，以異質結構為基礎研制新人工突觸元件。經過測試，該人工突觸元件耗能已降至人類突觸水平，同時在外部信息刺激的強弱變化條件下，該人工突觸元件的數據處理精確度達88.3％。該研究成果刊登在期刊《Advanced Materials》上。

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