東京大學和東京工業(yè)大學在合作研究中發(fā)現，通過在碳化硅（SiC）晶體基板表面制作單一原子層的石墨烯，然后向其上面蒸鍍鈣（在真空中層積原子）并進行加熱處理，制作出的樣品在冷卻后具備超導特性。相關論文發(fā)表在美國化學學會雜志《ACS Nano》上。

研究人員認為，這一超導現象是由于鈣原子直接結合到SiC晶體表面，使原來單原子層的石墨烯變成雙原子層，而鈣原子穿入到兩層石墨烯的夾層之間，從而產生超導性。這也表明，除了正常金屬電子態(tài)之外，石墨烯狄拉克粒子電子態(tài)以及特異電子態(tài)“范霍夫奇點”也與超導特性的形成有關。該研究成果意味著，在作為功率元件而備受關注和研究的SiC基板上可制作出石墨烯二維超導體。

注：本文摘自國外相關研究報道，文章內容不代表本網站觀點和立場，僅供參考。

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